瞻芯电子车规级SiC晶圆厂完成首批晶圆流片

9月30日下午，瞻芯电子官微宣布，他们自建的车规级SiC晶圆厂自主完成了首批6英寸SiC MOSFET晶圆流片，产品参数达到设计要求，良率指标正常，标志着6英寸SiC MOSFET工艺平台正式打通。

据悉，早在2022年8月瞻芯就打通了6英寸SiC SBD工艺平台。2022年7月22日，瞻芯电子SiC晶圆厂正式投片，这次打通SiC MOSFET工艺平台仅用一个半月时间。

清纯半导体SiC MOSFET获得AEC-Q101车规认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核

2022年9月29日，清纯半导体1200V 75 mΩ SiC MOSFET成功通过国内第三方可靠性验证，荣获全套AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核。据清纯半导体了解，这是国内首次SiC MOSFET产品能够同时通过AEC-Q101车规认证和HV-H3TRB双重考核的公开报道。

蓉矽半导体重磅发布第一代SiC MOSFET

9月27日，成都蓉矽半导体有限公司举行了线上新品发布会，重磅发布了第一代SiC MOSFET。

据介绍，蓉矽在本次发布会推出的NovuSiC® 1200V/75mΩ MOSFET G1产品，是历经900多天的研发、打磨，通过深耕细作，实现了厚积薄发。

表1. NovuSiC® 1200V/75mΩ MOSFET G1关键参数

NovuSiC® MOSFET可以做到在大幅度降低静态损耗的同时，减小动态损耗，因此能够提高系统整体功率密度，降低系统总成本，该产品在新能源汽车、直流充电桩、光伏系统等领域表现亮眼。

芯塔电子推出新一代SiC MOSFET，性能达到国际一流水平

2022年8月，芯塔电子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各项性能达到国际领先水平。

芯塔电子本次发布的 SiC MOSFET 器件低优值因子QG x RDS(ON) 是产品最大的亮点之一。优值因子数值越低说明器件的综合损耗越小，效率更高。在相同的测试条件下，芯塔电子 1200V/40mΩ SiC MOSFET的优值因子比国外C品牌低25%，在一众同类品牌中优势尽显。

芯塔电子新一代SiC MOSFET基于XM2.0自主技术平台。新一代产品的材料、设计、代工等环节均在国内完成，是真正意义上的纯国产化产品，加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程。

芯塔电子新一代SiC MOSFET选型表

宽禁带联盟综合整理